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ZXMN2A04DN8
TYPICAL CHARACTERISTICS
ISSUE 1 - JULY 2004
SEMICONDUCTORS
6
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相关代理商/技术参数
ZXMN2A05N8TA
功能描述:MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
ZXMN2A14F
制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET N SOT-23
ZXMN2A14FTA
功能描述:MOSFET N Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
ZXMN2A14FTC
制造商:ZETEX 制造商全称:ZETEX 功能描述:20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
ZXMN2AM832
制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:
ZXMN2AM832(1)
制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:
ZXMN2AM832TA
功能描述:MOSFET Dl 20V N Chnl UMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
ZXMN2AM832TC
制造商:ZETEX 制造商全称:ZETEX 功能描述:DUAL 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET